Томские ученые разработали твердотельный усилитель мощности в миллиметровом диапазоне

Специалисты НИИ полупроводниковых приборов г. Томск разработали твердотельный усилитель мощности 8-мм диапазона длин волн на основе GaN (нитрид галлия) интегральных схем с выходной мощностью более 800 Вт. 

По сравнению с традиционными решениями, усилители на основе GaN могут обеспечить в 3 раза больше выходной мощности при одинаковых физических размерах. Наряду с более высокой плотностью мощности полупроводники GaN имеют более высокую устойчивость и надёжность. Разработка, осуществленная томским АО «НИИ полупроводниковых приборов», уникальна для российского рынка и относится к самым передовым научно-техническим решениям не только в стране, но и в мире.

GaN­технологии позволяют существенно уменьшить габариты и вес твердотельного усилителя радара, что очень важно для авиационных и космических применений, где необходима минимизация веса и габаритов радаров, в т. ч. и радаров с АФАР.

В настоящее время опытные образцы усилителей, которые применяются в радиолокационном оборудовании, отгружены потребителям для проведения испытаний в составе аппаратуры. В начале следующего года предприятие планирует начать серийное производство. Подтвержденная на сегодня потребность в этих изделиях со стороны потенциальных заказчиков превышает 1 млрд. руб. в год. В целях обеспечения выпуска твердотельных усилителей, СВЧ-модулей и приемо-передающих модулей активных фазированных антенных решеток НИИ полупроводниковых приборов проводит модернизацию производства.

В России начат выпуск авиационных радаров пятого поколения >>

Твердотельный усилитель очень перспективный продукт, учитывая его преимущества по сравнению с традиционными для данного частотного диапазона и уровня мощности вакуумными усилителями.  Долгое время считалось, что мощные вакуумные лампы в миллиметровом диапазоне заменить нельзя, но томские инженеры доказали, что это не так.

Разработка осуществлялась на протяжении пяти лет. В мире всего несколько компаний, способных производить такую технику. Актуальным является решение задачи производства систем связи и радаров на базе новых продуктов GaN для частотных диапазонов C, X, Ku.

Твердотельные усилители и другие изделия на базе GaN­технологии открывают широкие перспективы для разработки новейших устройств и модернизации уже работающих изделий в важных частотных диапазонах 1–4 ГГц, 2–6 ГГц, 4–12 ГГц, 6–18 ГГц, 2–20 ГГц, которые могут стать конкурентными ламповым приборам СВЧ (триоды, тератроны, магнетроны, клистроны и т. д.) по выходной мощности, КПД, габаритным размерам, надежности и цене.

Статьи на эту тему:

Стартовало серийное производство навигационного приемного модуля нового поколения >>

Светодиодная лампа будет полностью из российских комплектующих >>

В России разработаны радиационно-стойкие микросхемы для космоса >>

На выставке «ЭкспоЭлектроника-2016» «Ангстрем» покажет более 50 новых микрочипов >>

«Ангстрем» создал банковский чип, который внесен в единый каталог российских интегральных схем и полупроводниковых приборов >>

СМОТРИТЕ ВИДЕО:

              Панцирь-С                                         Испытание в море ЗРК Тор                          ПВО Кремля                              Пуски крылатых ракет